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LTA-300
LTA, LASER THERMAL ANNEALING SYSTEM
반도체 디바이스 제조의 전공정 설비로 laser dopant activation 및 a-Si crystallization을 위한 차세대 어닐링 공정 장비
FEATURES
고출력 엑시머 레이저를 이용하여 결정화 및 불순물 활성화 공정에 적용
매우 빠른 ramp-up 및 cool-down으로 매우 낮은 thermal budget
공정 안정성을 위한 챔버 내부 gas 분위기 조성 및 제어
Special optical system을 통한 grain size 및 activation depth 제어
광학계를 통한 가공된 레이저 빔의 매우 우수한 homogeneity
공정 수율 극대화를 위한 정밀 스테이지 및 안정적인 모션 제어
| ITEMS | DESCRIPTION |
| SUBSTRATE SIZE | 200 mm – 300 mm wafer |
| APPLICATION | thermal process of memory device, logic device, CIS, power device |
| SYSTEM TYPE | stand-alone |
| LASER & OPTICS | high energy laser & special designed optical system |
| PRECISION STAGE | XYZR precision stage based on granite / XY repeatability ≤ ±1 um |
| PRODUCTIVITY | ≥ 60 sheets / hour ( at 300 mm wafer ) |
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